产品说明
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 211 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.85 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 111 nC
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 31 ns
正向跨导 - 最小值: 168 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 263 W
上升时间: 44 ns
系列: FDP032N08
工厂包装数量: 800
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 71 ns
典型接通延迟时间: 38 ns
单位重量: 1.800 g