制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PN-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 19 A
Rds On-漏源导通电阻: 265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 239 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 20.1 mm
长度: 16.2 mm
系列: FDA18N50
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 25 S
下降时间: 90 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 165 ns
工厂包装数量: 450