产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 2.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 2.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 0.75 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 1.45 mm
长度: 2.9 mm
系列: SI2
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.6 mm
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 6 S
下降时间: 15 ns
上升时间: 12.5 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 7.5 ns
单位重量: 8 mg