属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss） 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时） 4A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 60mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C） 2.1W
类型 N沟道
查看类似商品 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Ta），12A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：540pF @ 30V
功率 - 最大值：2.1W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）
粤公网安备 44030402002389号