描述
2SK3483是N沟道MOS场效应晶体管专为高电流开关应用而设计。
特征
低导通电阻
RDS（on）1 =52mΩMAX。 （VGS = 10 V，ID = 14 A）
RDS（on）2 =59mΩMAX。 （VGS = 4.5 V，ID = 14 A）
低Ciss：Ciss = 2300 pF TYP。
内置栅极保护二极管
TO-251 / TO-252封装
绝对最大额定值（TA = 25°C）
漏极到源电压（VGS = 0V）VDSS 100 V.
栅极到源极电压（VDS = 0V）VGSS±20 V.
漏极电流（DC）ID（DC）±28 A.
漏极电流（脉冲）注1 ID（脉冲）±60 A.
总功耗（TC = 25°C）PT 40 W.
总功耗（TA = 25°C）PT 1.0 W
通道温度Tch 150°C
储存温度Tstg -55至+ 150°C
单雪崩电流注2 IAS 25 A
单雪崩能量Note2 EAS 62.5 mJ
注1.PW≤10μs，占空比≤1％
2.开始Tch = 25°C，RG =25Ω，VGS = 20→0 V.