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产品型号 | 2N7002KT1G | 品牌 | ON | 封装 | SOT-23 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管60V,380mA | 查看资料 | 2N7002KT1G | |
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产品说明
制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 商标: ON Semiconductor 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 380 mA Rds On-漏源导通电阻: 7.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 最大工作温度: + 150 C 封装: Reel 通道模式: Enhancement 配置: Single 正向跨导 - 最小值: 0.00008 S 最小工作温度: - 55 C PackagingOptionsScrubbed: 2N7002KT1G Pd-功率耗散: 300 mW 系列: 2N7002K 工厂包装数量: 3000 晶体管类型: 1 N-Channel 典型关闭延迟时间: 40 ns 典型接通延迟时间: 20 ns
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