产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: N
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 150 V
集电极—基极电压 VCBO: 160 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 0.5 V
最大直流电集电极电流: 0.3 A
Pd-功率耗散: 625 mW
增益带宽产品fT: 300 MHz
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Bulk
高度: 5.33 mm
长度: 5.2 mm
技术: Si
宽度: 4.19 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 50