描述IGBT，DUAL，MODULE，100A，1200V
模块配置：双
晶体管极性：N通道
DC集电极电流：150A
集电极发射极电压Vces：2.2V
功耗Pd：540W
集电极发射极电压V（br）ceo：1.2kV
工作温度范围：-40°C至+ 125°C
晶体管封装类型：模块
针脚数量：7
电流Ic @ Vce Sat：100A
电流Ic连续最大值：150A
当前温度：25°C
外部深度：34mm
外部长度/高度：30mm
外部宽度：92毫米
下降时间tf：410ns
全功率额定温度：25°C
隔离电压：2.5kV
结温Tj Max：150°C
晶体管数量：2
包装/案例：M232
功耗最大值：540W
功耗Pd：540W
脉冲电流Icm：300A
上升时间：320ns
端接类型：螺钉
电压Vces：1.2kV
Description IGBT, DUAL, MODULE, 100A, 1200V
Module Configuration:Dual
Transistor Polarity:N Channel
DC Collector Current:150A
Collector Emitter Voltage Vces:2.2V
Power Dissipation Pd:540W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV
Operating Temperature Range:-40°C to +125°C
Transistor Case Style:Module
No. of Pins:7
Current Ic @ Vce Sat:100A
Current Ic Continuous a Max:150A
Current Temperature:25°C
External Depth:34mm
External Length / Height:30mm
External Width:92mm
Fall Time tf:410ns
Full Power Rating Temperature:25°C
Isolation Voltage:2.5kV
Junction Temperature Tj Max:150°C
No. of Transistors:2
Package / Case:M232
Power Dissipation Max:540W
Power Dissipation Pd:540W
Pulsed Current Icm:300A
Rise Time:320ns
Termination Type:Screw
Voltage Vces:1.2kV