产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 110 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: 1 N-Channel
下降时间: 48 ns
高度: 15.75 mm
长度: 10.4 mm
Pd-功率耗散: 200 W
上升时间: 61 ns
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 162 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
宽度: 4.6 mm
单位重量: 330 mg